本發(fā)明公開了一種機(jī)械化學(xué)拋光方法。該方法包括以下步驟：(1)將晶片放在拋光機(jī)上進(jìn)行常規(guī)機(jī)械化學(xué)拋光，包括初試輕壓和重壓階段；(2)在重壓拋光結(jié)束后進(jìn)入最終輕壓階段，停止拋光液供給，供給一定流量的清洗溶液，直到拋光結(jié)束。所用清洗溶液為水溶液，溶劑包含表面活性劑，濃度最好控制在10ppm到20％之間。清洗溶液還可包含pH值調(diào)節(jié)劑或者氧化劑，各成分的濃度都控制在10ppm到20％之間為好。清洗溶液可減小拋光布與晶片的摩擦力，從而減少晶片飛片現(xiàn)象，也降低了出現(xiàn)晶片劃道的幾率。本發(fā)明還提高晶片的親水性，去除拋光液顆粒更有效，并有利于后續(xù)清洗效果。
