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含有高可見發(fā)光效率的CdTe納米晶透明聚合物體相材料的制備方法.pdf

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2011-04-08  瀏覽次數:332
核心提示:含有高可見發(fā)光效率的CdTe納米晶透明聚合物體相材料的制備方法.pdf

<文摘>本發(fā)明涉及一種含有高發(fā)光效率CdTe半導體納米晶的透明聚合物體相材料的制備方法,包括制備水溶性CdTe半導體納米晶、可聚合表面活性劑、納米晶的相轉移及加入引發(fā)劑進 行本體聚合等三個步驟。水溶性CdTe半導體納米晶可以通過膠體化學方法制取,回流時間從0.5小時到3天;半導體納米晶的相轉移通過加入油溶性可聚合陽離子表面活性劑實現,可聚合表面活性劑與CdTe水溶膠的比例為1-5毫克/1毫升;引發(fā)劑為單體的0.1wt%-0.3wt%,本體 聚合溫度為55-130℃,反應時間為20-30小時。本發(fā)明是一種將半導體納米晶引入聚合物體相材料的新方法,可實現功能納米微粒的體相化和聚合物結構材料的功能化。

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