一種含有Si元素和C元素的MgB2超導(dǎo)材料，其特征在于含有SiC晶須或Si/N/C納米粉。制備所述的MgB2超導(dǎo)材料的方法，其特征在于，將Mg粉，B粉，SiC晶須(或Si/N/C 納米粉)按照摩爾比(0.8-0.975)∶(1.8-1.95)∶(0.025-0.2)配制并混合均勻，裝入鐵管或鐵銅復(fù)合管中密封后，按順序先后進(jìn)行旋鍛、拉拔、軋制，得到含有Si元素和C元素的MgB2超導(dǎo)線材；或者將混合均勻的原料粉用壓片機(jī)進(jìn)行壓片，得到含有Si元素和C元素的MgB2 超導(dǎo)塊材；將得到的線帶材或塊材放置真空爐中，抽真空后充入氬氣，在600℃-900℃保溫 0.5-2小時，最終得到含有Si元素和C元素的MgB2超導(dǎo)材料。本發(fā)明制備的MgB2超導(dǎo)材料磁場下的性能非常優(yōu)異，且具有很好的重復(fù)性。
