【 記錄編號(hào) 】 310346
【 記錄類型 】 文摘
【 限制使用 】 國(guó)內(nèi)
【項(xiàng)目年度編號(hào)】 0400290665
【 成果名稱 】 ULSI多層銅布線CMP納米材料拋光劑及拋光技術(shù)的研究
【 省 市 】 天津
【 分類號(hào) 】 TN405 TG175
【 關(guān)鍵詞 】 化學(xué)拋光 機(jī)械拋光 研磨膏 拋光劑(電子) CMP拋光劑 納米材料
【 成果簡(jiǎn)介 】
該拋光劑針對(duì)1990年以來(lái)國(guó)際上ULSI制備中對(duì)銅布線化學(xué)機(jī)械全局平面化(CMP)急待解決的問(wèn)題,能有效控制銅離子沾污,具有高速率、低損傷、高選擇性,高清潔等優(yōu)點(diǎn),在理論與工程技術(shù)上取得了創(chuàng)造性突破,獲得具有工業(yè)規(guī)模應(yīng)用前景的CMP拋光劑,其創(chuàng)新點(diǎn)如下:(1)首次提出用大分子具有環(huán)烷羥胺分子強(qiáng)絡(luò)合加螯合且易溶解的CMP動(dòng)力學(xué)過(guò)程和機(jī)理模型。(2)選用無(wú)污染粒徑約20nm,濃度在40%wt以上水溶膠為磨料。(3)選用無(wú)離子H<,2>O<,2>為氧化劑。(4)用羥胺做Ph調(diào)制劑、緩沖劑、助氧劑、絡(luò)合劑,實(shí)現(xiàn)一劑多功能簡(jiǎn)化成份降低成本。(5)選用無(wú)金屬離子、水溶具有十三螯合環(huán)的強(qiáng)螯合劑,有效制離子沾污。(6)拋光后選用復(fù)合高滲透無(wú)離子表面活性劑處理,獲得潔凈表面。獲得了無(wú)金屬雜質(zhì)沾污,高速率,低粒徑,低損傷,高選擇,高潔凈的ULSI多層銅布線CMP拋光劑,達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,為微電子第三代布線做出創(chuàng)造性貢獻(xiàn)。該成果已在中科院微電子中心0.35μm集成電路制作中應(yīng)用效果很好。
【 成果類別 】 應(yīng)用技術(shù)
【 成果水平 】 國(guó)際領(lǐng)先
【 記錄類型 】 文摘
【 限制使用 】 國(guó)內(nèi)
【項(xiàng)目年度編號(hào)】 0400290665
【 成果名稱 】 ULSI多層銅布線CMP納米材料拋光劑及拋光技術(shù)的研究
【 省 市 】 天津
【 分類號(hào) 】 TN405 TG175
【 關(guān)鍵詞 】 化學(xué)拋光 機(jī)械拋光 研磨膏 拋光劑(電子) CMP拋光劑 納米材料
【 成果簡(jiǎn)介 】
該拋光劑針對(duì)1990年以來(lái)國(guó)際上ULSI制備中對(duì)銅布線化學(xué)機(jī)械全局平面化(CMP)急待解決的問(wèn)題,能有效控制銅離子沾污,具有高速率、低損傷、高選擇性,高清潔等優(yōu)點(diǎn),在理論與工程技術(shù)上取得了創(chuàng)造性突破,獲得具有工業(yè)規(guī)模應(yīng)用前景的CMP拋光劑,其創(chuàng)新點(diǎn)如下:(1)首次提出用大分子具有環(huán)烷羥胺分子強(qiáng)絡(luò)合加螯合且易溶解的CMP動(dòng)力學(xué)過(guò)程和機(jī)理模型。(2)選用無(wú)污染粒徑約20nm,濃度在40%wt以上水溶膠為磨料。(3)選用無(wú)離子H<,2>O<,2>為氧化劑。(4)用羥胺做Ph調(diào)制劑、緩沖劑、助氧劑、絡(luò)合劑,實(shí)現(xiàn)一劑多功能簡(jiǎn)化成份降低成本。(5)選用無(wú)金屬離子、水溶具有十三螯合環(huán)的強(qiáng)螯合劑,有效制離子沾污。(6)拋光后選用復(fù)合高滲透無(wú)離子表面活性劑處理,獲得潔凈表面。獲得了無(wú)金屬雜質(zhì)沾污,高速率,低粒徑,低損傷,高選擇,高潔凈的ULSI多層銅布線CMP拋光劑,達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,為微電子第三代布線做出創(chuàng)造性貢獻(xiàn)。該成果已在中科院微電子中心0.35μm集成電路制作中應(yīng)用效果很好。
【 成果類別 】 應(yīng)用技術(shù)
【 成果水平 】 國(guó)際領(lǐng)先